микросхема усилителя низкой частоты производства фирмы ST-microelectronics. Эта микросхема построена на полевых транзисторах, что обеспечивает высокое качество звучания, а минимум навесных элементов гарантирует хорошую повторяемость усилителей.

Внимание! Теплоотвод корпуса соединен с минусом питания, поэтому микросхема как правило должна быть изолирована от внешнего радиатора.

Напряжение питания мин. ±10V  макс. ±40V 

Ток покоя -  мин. - 20mA, тип. -30mA, макс. - 60mA 

Входное дифференциальное напряжение   макс.  ±10mV 

Входные дифференциальные токи    макс. ±0,1µA 

Коэффициент усиления(с обратной связью) - мин. 24dB, тип.-  30dB, макс.-  40dB 

Выходная мощность (Un=±35V, Rн=8om,Кни=0,5%) - мин. - 60W, тип. -  70W   

Выходная мощность (Un=±40V, Rн=8om,Кни=10%)    тип. -100W   

Kни   тип. -0,01%, макс. -  0,1% 

Полоса пропускания (по уровню -3 дБ) 20...20000 Hz 

Входное сопротивление 100Kom .